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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM200GB60DLC
Fabriquant: Infineon
Catégorie de produit: Modules IGBT
RoHS: OUI
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules de silicium IGBT
Configuration: double
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 600 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 1.95 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 230 A
Courant de fuite porte-émetteur: 400 nA
Pd - Dissipation de puissance: 445 W
Paquet/boîte : 34 MM
Température de fonctionnement maximale: + 125 C
Emballage: plateau
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: vis
Quantité par emballage d'usine: 10
200A / 600V / IGBT / 2U; modules IGBT 600V 200A DUAL
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