#FF150R12ME3G Infineon FF150R12ME3G Neuer Trans IGBT Modul N-CH 1200V300A695W 8-polig, FF150R12ME3G Bilder, FF150R12ME3G Preis, #FF150R12ME3G Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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FF150R12ME3G
Beschreibung Wertpaket 8IHV73-3
Beschreibung Wertpaket 8IHV73-3
Konfiguration Dual Pin Count 8
Kollektor-Emitter Sperrspannung Kollektor-Emitter Spannung 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Gleichstromkollektorstrom Tc = 80 ° C, Tvj = 150 ° C Icnom 150A
Kollektor-Dauergleichstrom Gleichstromkollektorstrom Tc = 25 ° C, Tvj = 150 ° C. IC 200A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitiver Spitzenkollektorstrom tp = 1 ms IcRM 300A
Gesamtverlustleistung Gesamtverlustleistung Tc = 25 ° C, Tvj = 150 ° C Ptot 695w
Gate Emitter Spitzenspannung Gate Emitter Peak Spannung ± 20 V
Betriebstemperatur der Befestigungsschraube -40 bis 125 ° C.
Kollektor-Dauergleichstrom Gleichstromkollektorstrom Tc = 25 ° C, Tvj = 150 ° C. IC 200A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitiver Spitzenkollektorstrom tp = 1 ms IcRM 300A
Gesamtverlustleistung Gesamtverlustleistung Tc = 25 ° C, Tvj = 150 ° C Ptot 695w
Gate Emitter Spitzenspannung Gate Emitter Peak Spannung ± 20 V
Betriebstemperatur der Befestigungsschraube -40 bis 125 ° C.
Trans IGBT Modul N-CH 1200V300A695W 8-polig
Shunlongwei prüfte jeden FF150R12ME3G vor dem Versand, alle FF150R12ME3G mit 6 Monaten Garantie.