#FF150R12ME3G Infineon FF150R12ME3G Nouvelle Trans IGBT Module N-CH 1200V300A695W 8 broches, images FF150R12ME3G, prix FF150R12ME3G, fournisseur #FF150R12ME3G
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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FF150R12ME3G
Description Valeur Package 8IHV73-3
Description Valeur Package 8IHV73-3
Configuration Nombre de broches doubles 8
Kollektor-Emitter Sperrspannung Collecteur Émetteur Tension 1200 V
Courant de collecteur CC Kollektor-Dauergleichstrom Tc = 80 ° C, Tvj = 150 ° C Icnom 150A
Courant de collecteur CC Kollektor-Dauergleichstrom Tc = 25 ° C, Tvj = 150 ° C IC 200A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom courant de pointe répétitif du collecteur tp = 1 ms IcRM 300A
Dissipation de puissance totale Gesamt Verlustleistung Tc = 25 ° C, Tvj = 150 ° C Ptot 695w
Gate Emitter Spitzenspannung Gate Emitter Peak Tension ± 20 V
Vis de montage Température de fonctionnement -40 à 125 ° C
Courant de collecteur CC Kollektor-Dauergleichstrom Tc = 25 ° C, Tvj = 150 ° C IC 200A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom courant de pointe répétitif du collecteur tp = 1 ms IcRM 300A
Dissipation de puissance totale Gesamt Verlustleistung Tc = 25 ° C, Tvj = 150 ° C Ptot 695w
Gate Emitter Spitzenspannung Gate Emitter Peak Tension ± 20 V
Vis de montage Température de fonctionnement -40 à 125 ° C
trans IGBT Module N-CH 1200V300A695W 8 broches
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