Infineon FP75R12KT4_B15 Auf Lager

#FP75R12KT4_B15 Infineon FP75R12KT4_B15 Neu IGBT Module 1.85V IGBT 4 PIM, FP75R12KT4_B15 Bilder, FP75R12KT4_B15 Preis, # FP75R12KT4_B15 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com

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Hersteller: Infineon

Produktkategorie: IGBT Module

RoHS: Details

Produkt: IGBT Siliziummodule

Konfiguration: 3-Phase

Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V

Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.25 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 150 A

Gate-Emitter-Leckstrom: 100 k.A

Pd - Verlustleistung: 385 W

Paket / Fall: Öko 3

Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.

Maximale Betriebstemperatur: + 150 C

Verpackung: Tablett

Technologie: Si

Marke: Infineon Technologies

Montageart: Chassisbefestigung

Maximaler Gate-Emitter Spannung: 20 V

Produkttyp: IGBT-Module

Factory Pack Menge: 10

Unterkategorie: IGBTs

IGBT-Module 1.85 V IGBT 4 PIM

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