Infineon FP75R12KT4_B15 En stock

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Courriel: sales@shunlongwei.com

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Fabricant: Infineon

Catégorie de produits: IGBT Modules

RoHS: Détails

Produit: IGBT Modules de silicium

Configuration: 3-Phase

Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V

Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.25 V

Courant de collecteur continu à 25 C: A 150

Courant de fuite porte-émetteur: 100 na

Pd - Dissipation de puissance: 385 W

Paquet / Cas: Écono 3

Température minimale de fonctionnement: - 40 C

Température de fonctionnement maximale: + 150°C

Paquet: Plateau

sans souci: Si

Marque: Infineon Technologies

Style de montage: Montage sur châssis

Émetteur de porte maximum Tension: 20 V

Type de produit: Modules IGBT

Quantité de paquet d'usine: 10

Sous-catégorie: IGBT

Modules IGBT 1.85V IGBT 4 PIM

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