Infineon FS200R12PT4 Auf Lager

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E-Mail: sales@shunlongwei.com

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Teilenummer Aliase:FS200R12PT4
Hersteller: Infineon

Produktkategorie: IGBT Module

RoHS: Details

Produkt: IGBT Siliziummodule

Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V

Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.15 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 280 A

Gate-Emitter-Leckstrom: 400 k.A

Pd - Verlustleistung: 1000 W

Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.

Maximale Betriebstemperatur: + 150 C

Verpackung: Tablett

Technologie: Si

Marke: Infineon Technologies

Montageart: Chassisbefestigung

Maximaler Gate-Emitter Spannung: 20 V

IGBT Modul FS200R12PT4 Infineon 1200V/280A/1000W

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