Infineon FS200R12PT4 em estoque

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Parte # Aliases: FS200R12PT4
Fabricante: Infineon

Categoria de Produto: IGBT Módulos

RoHS: Adicionar ao carrinho

Produto: IGBT Módulos de Silício

Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1200 V

Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.15 V

Corrente de coletor contínua a 25 C: 280 A

Corrente de vazamento do emissor-porta: 400 nA

Pd - Dissipação de energia: 1000 W

Temperatura operacional mínima: - 40 C

Temperatura operacional máxima: + 150ºC

Embalagem: Bandeja

tecnologia: Si

marca: Infineon Technologies

Estilo de montagem: Montagem em Chassi

Emissor máximo de porta Voltagem: 20 V

IGBT módulo FS200R12PT4 Infineon 1200V/280A/1000W

Shunlongwei inspecionado todos os FS200R12PT4 antes do envio, todos os FS200R12PT4 com garantia de 6 meses.