Infineon FZ2400R17HP4_B2 Neues IGBT-Modul

Sales Email: sales@shunlongwei.com

Infineon FZ2400R17HP4_B2 Neu IGBT Modul

Typische Anwendungen:

  • Anwendungen mit resonanten Wechselrichtern
  • Hochleistungswandler
  • Traktionsantriebe
  • Windkraftanlagen

Elektrische Eigenschaften:

  • Erweiterte Betriebstemperatur (Tvjop)
  • Vergrößerte Diode für regenerativen Betrieb
  • Niedrige VCEsat (Kollektor-Emitter-Sättigung). Spannung)

Mechanische Eigenschaften:

  • 4kV AC 1min Isolierung
  • AISiC-Grundplatte für erhöhte Temperaturwechselfähigkeit
  • Paket mit CTI>400 (Comparative Tracking Index)
  • Hohe Kriech- und Spielabstände
  • Hohe Leistung und Temperaturwechselfähigkeit
  • Hohe Leistungsdichte
  • IHM B-Gehäuse

Maximale Nennwerte und Eigenschaften: (Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben)

  • Sammler-Emitter Spannung (Vces): 1700 V
  • Kontinuierlicher DC-Kollektorstrom: 2400 A
  • Wiederkehrender Spitzenkollektorstrom: 4800 A
  • Gesamtverlustleistung: 14000 W
  • Gate-Emitter-Spitzenspannung (Vges): +/-20 V
  • Temperatur unter Schaltbedingungen (Tvj op): -40~150°C
  • Gewicht: 800 g