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Infineon FZ2400R17HP4_B2 Neu IGBT Modul
Typische Anwendungen:
- Anwendungen mit resonanten Wechselrichtern
- Hochleistungswandler
- Traktionsantriebe
- Windkraftanlagen
Elektrische Eigenschaften:
- Erweiterte Betriebstemperatur (Tvjop)
- Vergrößerte Diode für regenerativen Betrieb
- Niedrige VCEsat (Kollektor-Emitter-Sättigung). Spannung)
Mechanische Eigenschaften:
- 4kV AC 1min Isolierung
- AISiC-Grundplatte für erhöhte Temperaturwechselfähigkeit
- Paket mit CTI>400 (Comparative Tracking Index)
- Hohe Kriech- und Spielabstände
- Hohe Leistung und Temperaturwechselfähigkeit
- Hohe Leistungsdichte
- IHM B-Gehäuse
Maximale Nennwerte und Eigenschaften: (Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben)
- Sammler-Emitter Spannung (Vces): 1700 V
- Kontinuierlicher DC-Kollektorstrom: 2400 A
- Wiederkehrender Spitzenkollektorstrom: 4800 A
- Gesamtverlustleistung: 14000 W
- Gate-Emitter-Spitzenspannung (Vges): +/-20 V
- Temperatur unter Schaltbedingungen (Tvj op): -40~150°C
- Gewicht: 800 g