#FZ600R17KE3 Infineon FZ600R17KE3 Neu IGBT Module N-CH 1.7KV 1.07KA, FZ600R17KE3 Bilder, FZ600R17KE3 Preis, #FZ600R17KE3 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller: Infineon
Produktkategorie:IGBT Module
RoHS: Einzelheiten
Produkt:IGBT Siliziummodule
Konfiguration: Dual
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max: 1700 V.
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.45 V.
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 1070 A.
Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA
Pd - Verlustleistung: 3150 W.
Verpackung / Koffer: 62 mm
Mindestbetriebstemperatur: - 40 ° C.
Maximale Betriebstemperatur: + 125 ° C.
Verpackung: Fach
Höhe: 36.5 mm
Länge: 106.4 mm
Technologie: Si
Breite: 61.4 mm
Marke: Infineon Technologies
Montagestil: Gehäusemontage
Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V.
IGBT-Module N-CH 1.7 KV 1.07 KA
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