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Email: sales@shunlongwei.com
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Fabricante: Infineon
Categoria de Produto:IGBT Módulos
RoHS: Detalhes
Produto:IGBT Módulos de Silício
Configuração: Dual
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Max: 1700 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.45 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 1070 A
Corrente de vazamento de porta-emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de energia: 3150 W
Pacote / Caixa: 62 mm
Temperatura mínima de operação: - 40 C
Temperatura máxima de operação: + 125 C
Embalagem: Bandeja
Altura: 36.5 mm
Duração: 106.4 mm
tecnologia:Si
Largura: 61.4 mm
Marca: Infineon Technologies
Estilo de Montagem: Montagem em Chassi
Tensão máxima do emissor da porta: 20 V
Módulos IGBT N-CH 1.7KV 1.07KA
Shunlongwei inspecionado a cada FZ600R17KE3 antes do envio, todos os FZ600R17KE3 com garantia de 6 meses.