IR IRF7329 Auf Lager

#IRF7329 IR IRF7329 Neuer IRF7329 Kleinsignal-Feldeffekt Transistor, 9.2A I(D), 12V, 2-Element, P-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, SO-8; IRF7329, IRF7329 Bilder, IRF7329 Preis, #IRF7329 Lieferant
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Hersteller-Teilenummer: IRF7329
Rohs Code: Nein
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Hersteller: Infineon TECHNOLOGIEN AG
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 5.77
Konfiguration: SEPARAT, 2 ELEMENTE MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 12 V.
Drainstrom-Max (ID): 9.2 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.017 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JESD-30-Code: R-PDSO-G8
JESD-609-Code: e0
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 2
Anzahl der Terminals: 8
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 245
Polarität/Kanaltyp: P-CHANNEL
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Oberflächenmontage: JA
Terminal Finish: Zinn / Blei (Sn / Pb)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
Kleinsignal-Feldeffekttransistor, 9.2 AI(D), 12 V, 2 Elemente, P-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, SO-8