IXYS MID200-12A4 Auf Lager

Datenblätter:M(IIIDDI)200-12A4Standardpaket:2Kategorie:Diskret Halbleiter ProdukteFamilie:IGBTs – ModuleSerie:-IGBT Typ:NPTKonfiguration:Einzelspannung – Kollektor-Emitter-Aufschlüsselung (max.):1200VVce(on) (max.) bei Vge IC: 2.7 V bei 15 V 150 Wechselstrom - Kollektor (Ic) (max.): 270 Wechselstrom - Kollektorabschaltung (max.): 10 mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V Leistung - max.: 1130 W Eingang: StandardNTC Thermistor: NoMontagetyp: GehäusemontagePaket / Gehäuse: Y3-DCBSupplier-Gerätepaket: Y3-DCB #MID200-12A4 IXYS MID200-12A4 Neuer MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB, MID200-12A4 Bilder, MID200-12A4 Preis, # MID200-12A4 Lieferant
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MID200-12A4
MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB