IXYS MID200-12A4 В наличии

Техническое описание:M(IIIDDI)200-12A4Стандартный корпус:2Категория:Дискретный Полупроводниковое ПродуктыСемейство:IGBTs – ModulesSeries:-IGBT Тип: NPTConfiguration: SingleVoltage – Пробой коллектор-эмиттер (макс.): 1200VVce(on) (макс.) @ Vge IC: 2.7 В при 15 В 150 А Ток - Коллектор (Ic) (Макс): 270 А Ток - Отсечка коллектора (Макс): 10 мА Входная емкость (Cies) при Vce: 11 нФ при 25 В Мощность - Макс: 1130 Вт Вход: Стандартный Термистор NTC: Нет Тип установки: Монтаж на шасси Упаковка / Корпус: Y3-DCB Пакет устройства поставщика: Y3-DCB #МИД200-12А4 IXYS MID200-12A4 New MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB, фотографии MID200-12A4, цена MID200-12A4, поставщик # MID200-12A4
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/mid200-12a4.html

-----------------------

МИД200-12А4
МОД IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB