IPMs mit höherer Leistung werden aus keramischem Isolationsmaterial hergestellt. Bei diesen Modulen kommt ein Direct-Bond-Kupferverfahren zum Einsatz, bei dem Kupfermuster ohne Verwendung von Lot direkt mit dem Keramiksubstrat verbunden werden. Dieses Substrat bietet die verbesserten thermischen Eigenschaften und größeren Stromtragfähigkeiten, die in diesen Geräten mit höherer Leistung erforderlich sind. Gate-Antriebs- und Steuerschaltkreise sind auf einer separaten Platine untergebracht, die direkt über den Leistungsgeräten montiert ist. Die Leiterplatte ist eine mehrschichtige Konstruktion mit speziellen Abschirmschichten für die Immunität gegen elektromagnetische Störungen. Abbildung 6.4 zeigt den Aufbau eines keramikisolierten Intelligent Power Modul. Abbildung 6.5 zeigt ein PM75RSA060 75 A, 600 V IPM.
VCC-Versorgung Spannung Maximal zwischen PN angelegte Zwischenkreisspannung
VCES Collector-Emitter 1200-Spannung Maximale Off-State-Collector-Emitter-Spannung am angelegten Steuereingangssignal
±IC Kollektorstrom Maximaler Gleichstromkollektor und FWDi-Strom bei Tj ≤ 150 ° C 300A
± ICP-Kollektorstrom (Spitze) Maximaler Spitzenkollektor und FWDi-Strom bei Tj ≤ 150 ° C 600A
PC-Kollektor-Verlustleistung Maximale Verlustleistung pro IGBT Schalter bei Tj = 25°C 1260W
Tj Sperrschichttemperaturbereich der IGBT-Sperrschichttemperatur während des Betriebs –20 ~ +150 ° C.
FEATURE
• 3φ 300A, 1200V Current-Sense-IGBT für 20-kHz-Umschaltung
• Monolithische Gate-Ansteuerungs- und Schutzlogik
• Erkennungs-, Schutz- und Statusanzeigekreise für Überstrom, Kurzschluss, Übertemperatur und Unterspannung
(P-FO von Oberschenkelgeräten erhältlich)
• Akustische geräuschlose Wechselrichteranwendung der 55-kW-Klasse
• UL-anerkannt
Abbildung 6.5 zeigt ein PM75RSA060 75A, 600 V IPM.
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