MITSUBISHI QM50TX-HB Auf Lager

#QM50TX-HB MITSUBISHI QM50TX-HB Neuer Bipolartransistor 50A I (C) 6-Element-NPN-Siliziumplastik / Epoxid 11-polig, QM50TX-HB-Bilder, QM50TX-HB-Preis, # QM50TX-HB-Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/qm50tx-hb.html

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Hersteller-Teilenummer: QM50TX-HB
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PUFM-X11
Hersteller: Mitsubishi Electric

• hFE Gleichstromverstärkung ……………………… .. 750
Risikorang: 5.66
Kollektorstrom-Max (IC): 50 A.
Konfiguration: KOMPLEX
Gleichstromverstärkung-min (hFE): 750
Fallzeit-Max (tf): 3000 ns
JESD-30-Code: R-PUFM-X11
Anzahl der Elemente: 6
Anzahl der Terminals: 11
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Polarität / Kanaltyp: NPN
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: BIP Allzweckleistung
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Transistorelementmaterial: SILIKON
VCEsat-Max: 2.5 V.
Leistungsbipolartransistor 50A I (C) 6-Element-NPN-Siliziumplastik / Epoxid 11-polig