MITSUBISHI QM50TX-HB Disponible

#QM50TX-HB MITSUBISHI QM50TX-HB Nuevo transistor bipolar de potencia 50A I (C) 6 elementos NPN Plástico de silicona / Epoxi 11 pines, imágenes QM50TX-HB, precio QM50TX-HB, proveedor # QM50TX-HB
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/qm50tx-hb.html

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Número de parte del fabricante: QM50TX-HB
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante de IHS: MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PUFM-X11
Fabricante: Mitsubishi Electric

• Ganancia de corriente CC hFE ……………………… .. 750
Rango de riesgo: 5.66
Corriente máxima del colector (IC): 50 A
Configuración: COMPLEJO
Ganancia mínima de corriente CC (hFE): 750
Tiempo de caída-Max (tf): 3000 ns
Código JESD-30: R-PUFM-X11
Número de elementos: 6
Número de terminales: 11
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Polaridad / Tipo de canal: NPN
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: BIP General Purpose Power
Montaje en superficie: NO
Forma de terminal: SIN ESPECIFICAR
Posición terminal: SUPERIOR
Material del elemento del transistor: SILICIO
VCEsat-Max: 2.5 V
Transistor bipolar de potencia 50A I (C) 6 elementos NPN Plástico de silicona / Epoxi 11 pines