Erstklassige SOA- und Avalanche-Eigenschaften Nexperia hat seine neue 0.55-mOhm-RDS(on)-40-V-Stromversorgung veröffentlicht released Mosfets im hochzuverlässigen LFPAK88-Gehäuse für Automobil- (BUK7S0R5-40H) und industrielle (PSMNR55-40SSH) Anwendungen. Diese Geräte sind die Bauteile mit dem niedrigsten RDS(on)-40-V-Wert, die das Unternehmen je entwickelt hat, und, was noch wichtiger ist, sie bieten eine mehr als 50-mal höhere Leistungsdichte als herkömmliche D2PAK-Geräte. Die neuen Geräte bieten auch eine verbesserte Leistung sowohl im Avalanche- als auch im Linearmodus, was zu mehr Robustheit und Zuverlässigkeit führt.
Neil Massey, Produktmarketingmanager bei Nexperia, kommentiert: „Die neuen 8 mm x 8 mm großen LFPAK88-MOSFETs kombinieren das neueste Hochleistungs-Superjunction-Silizium Technologie mit unserer bewährten LFPAK-Kupferclip-Technologie, die für ihre erheblichen elektrischen und thermischen Leistungsvorteile bekannt ist. Der daraus resultierende niedrige RDS(on) ermöglicht es uns, mehr Silizium in das Gehäuse zu packen, was die Leistungsdichte verbessert und den Platzbedarf der Geräte verringert.“
Mit einer Größe von nur 8 mm x 8 mm x 1.7 mm bieten die neuen Leistungs-MOSFETs außerdem erstklassige Linearmodus-/SOA-Eigenschaften für sicheres und zuverlässiges Schalten bei hohen Strombedingungen. SOA bei 1 ms, 20 VDS-Betriebsbedingungen beträgt 35 A aufgrund einer Mischung aus Silizium und Gehäuse, während bei 10 ms, 20 VDS, wo das Gehäuse dominiert, SOA 17 A beträgt. Diese Zahlen sollen 1.5-2x besser sein als die der Konkurrenz. Die Geräte bieten außerdem eine hervorragende Single Pulse Avalanche Rating (EAS) bei 2.3 J und einen sehr starken ID-Strom von 500 A, der – im Gegensatz zu einigen Konkurrenzgeräten – eher eine gemessene als eine theoretische Grenze ist.
Die Größen- und Leistungsvorteile der 8 x MOSFETs ermöglichen es Designern, zwei parallele Komponenten im alten Stil durch einen neuen LFPAK88 zu ersetzen, was die Herstellung vereinfacht und die Zuverlässigkeit verbessert. Die AEC-Q101-qualifizierten Teile – die mehr als das Doppelte der vom Automobilstandard erwarteten Zuverlässigkeitsleistung erbringen – Anzugbremsen, Servolenkung, Verpolungsschutz, E-Sicherung, DC-DC Konverter und Motorsteuerungsanwendungen. Die Industrie-MOSFETs sind ideal für Batterieisolierung, Strombegrenzung, E-Sicherung, Motorsteuerung, Synchrongleichrichtung und Lastschalteranwendungen in Elektrowerkzeugen, Haushaltsgeräten, Lüftern, E-Bikes, Rollern und Rollstühlen.