Navitas Halbleiter bietet jetzt seine fünfte Generation von Hochgeschwindigkeits-GeneSiC-SiC-Leistungsdioden für anspruchsvolle Rechenzentrums-, industrielle Motorantriebs-, Solar- und Verbraucheranwendungen an.
Die für 650 V ausgelegten Merged-PiN-Schottky-Dioden (MPS) verfügen über eine einzigartige PiN-Schottky-Struktur und sorgen für eine niedrige Einbautiefe Spannung-Vorspannung‘ („Low Knee“) für höchste Effizienz bei allen Lastbedingungen bei hervorragender Robustheit. Zu den Anwendungen gehören PFC in Server-/Telekommunikationsnetzteilen, industriellen Motorantrieben, Solarwechselrichtern, LCD/LED-Fernseher und Beleuchtung.
„Wir liefern zuverlässige Spitzenleistung für gefragte Anwendungen wie KI und Chat GPT-Rechenzentrumsleistung“, bemerkte Dr. Ranbir Singh, Navitas EVP für SiC. „Effizienter, kühler und zuverlässiger Betrieb gewährleistet eine lange Lebensdauer, gibt Energiedesignern Sicherheit und optimiert ihre Zeit bis zum Prototypenbau und bis zur Markteinführung.“
Das neuartige Design vereint die besten Eigenschaften von PiN- und Schottky-Diodenstrukturen und bietet den niedrigsten Durchlassspannungsabfall (VF) von nur 1.3 V, eine hohe Stoßstromfähigkeit (IFSM) und minimierte temperaturunabhängige Schaltverluste. Proprietärer Dünnchip Technologie verringert VF weiter und verbessert die Wärmeableitung für einen kühleren Betrieb. Diese Dioden werden erstmals in einem flachen, oberflächenmontierbaren QFN-Gehäuse angeboten.
Um einen zuverlässigen Betrieb in kritischen Anwendungen zu gewährleisten, bieten die 5-V-MPS-Dioden der Generation 650 erstklassige Robustheit und Robustheit, hohe Stoßstrom- und Lawinenfestigkeit sowie 100 % Avalanche (UIL)-Produktionstests.
Die MPS-Dioden der GExxMPS4x-Serie reichen von 24 A bis 2 A und sind in einer Reihe von oberflächenmontierbaren (QFN, D220-PAK) und Durchsteckgehäusen (TO-247, TO-06) erhältlich. Sie decken Anwendungen von 300 W bis 3,000 W ab und verschiedene Schaltkreise wie Solarpanel-Aufwärtswandler und PFC im Dauerstrommodus in Spielekonsolen. Mit einer „Common-Cathode“-Konfiguration bietet das TO-247-3-Gehäuse große Flexibilität für hohe Leistungsdichte und Stücklistenreduzierung in verschachtelten PFC-Topologien.
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