นาวิทัส สารกึ่งตัวนำ ปัจจุบันนำเสนอพาวเวอร์ไดโอด GeneSiC SiC ความเร็วสูงรุ่นที่ XNUMX สำหรับศูนย์ข้อมูลที่ต้องการ มอเตอร์ไดรฟ์อุตสาหกรรม พลังงานแสงอาทิตย์ และการใช้งานสำหรับผู้บริโภค
ไดโอด Merged-PiN Schottky (MPS) พิกัด 650V รวมโครงสร้าง PiN-Schottky ที่เป็นเอกลักษณ์ แรงดันไฟฟ้า-biasing' ('low knee') เพื่อประสิทธิภาพสูงสุดในทุกสภาวะโหลดพร้อมความทนทานที่ยอดเยี่ยม การใช้งานรวมถึง PFC ในเซิร์ฟเวอร์/แหล่งจ่ายไฟโทรคมนาคม มอเตอร์ไดรฟ์อุตสาหกรรม อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ จอแอลซีดี/ทีวี LED และไฟส่องสว่าง
“เรากำลังส่งมอบประสิทธิภาพที่ล้ำสมัยและเชื่อถือได้สำหรับแอปพลิเคชันตามความต้องการ เช่น AI และพลังของศูนย์ข้อมูล Chat GPT” Dr Ranbir Singh, Navitas EVP ของ SiC กล่าว “การทำงานที่มีประสิทธิภาพ เย็น และเชื่อถือได้ช่วยให้มั่นใจได้ถึงอายุการใช้งานที่ยาวนาน และนำความอุ่นใจมาสู่นักออกแบบไฟฟ้า และปรับเวลาให้เหมาะสมสำหรับการสร้างต้นแบบและเวลาออกสู่ตลาด”
การออกแบบใหม่นี้รวมเอาคุณสมบัติที่ดีที่สุดของโครงสร้างไดโอด PiN และ Schottky เข้าด้วยกัน โดยให้แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า (VF) ลดลงต่ำสุดเพียง 1.3V เท่านั้น ความสามารถด้านกระแสไฟกระชากสูง (IFSM) และลดการสูญเสียการสลับที่ไม่ขึ้นกับอุณหภูมิให้เหลือน้อยที่สุด ชิปบางที่เป็นกรรมสิทธิ์ เทคโนโลยี ช่วยลด VF และเพิ่มการกระจายความร้อนเพื่อการทำงานของเครื่องทำความเย็น ไดโอดเหล่านี้มีจำหน่ายในแพ็คเกจ QFN ที่ติดตั้งบนพื้นผิวแบบ low-profile เป็นครั้งแรก
เพื่อให้การทำงานที่เชื่อถือได้ในแอพพลิเคชั่นที่สำคัญ ไดโอด MPS เจนเนอเรชั่น 5, 650V มอบความทนทานและสมบุกสมบันที่ดีที่สุดในระดับเดียวกัน ความสามารถในการป้องกันกระแสไฟกระชากและหิมะถล่มสูง และการทดสอบการผลิตแบบถล่ม (UIL) 100%
ไดโอด MPS ซีรีส์ GExxMPS4x ครอบคลุมการใช้งานตั้งแต่ 24W ถึง 2W ด้วยความสามารถตั้งแต่ 220A ถึง 247A ในอาร์เรย์ของ Surface-Mount (QFN, D06-PAK) และรูทะลุ (TO-300, TO-3,000) และวงจรต่างๆ เช่น ตัวแปลงบูสต์แผงโซลาร์เซลล์ และ PFC โหมดกระแสต่อเนื่องในคอนโซลเกม ด้วยการกำหนดค่า 'แคโทดทั่วไป' แพ็คเกจ TO-247-3 มอบความยืดหยุ่นที่ยอดเยี่ยมสำหรับความหนาแน่นพลังงานสูงและการลดรายการวัสดุในโทโพโลยี PFC แบบสอดแทรก
ดูเพิ่มเติม : โมดูล IGBT | จอแสดงผล LCD | ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์