23 /SemiMedia/ — Nexperia hat kürzlich seine ersten anwendungsspezifischen 80 V und 100 V angekündigt Mosfets (ASFETs) für Hot-Swapping in einem kompakten 8×8-mm-LFPAK88-Gehäuse mit erweitertem sicheren Betriebsbereich (SOA). Diese neuen ASFETs sind vollständig für anspruchsvolle Hot-Swap- und Soft-Start-Anwendungen optimiert und bis 175 °C für den Einsatz in fortschrittlichen Telekommunikations- und Computergeräten qualifiziert.
Durch die Anwendung jahrzehntelanger Erfahrung sowohl in der fortschrittlichen Silizium- als auch in der Gehäuseentwicklung ist der PSMN2R3-100SSE (100 V, 2.3 mΩ N-Kanal-ASFET) von Nexperia die führende Ergänzung im Portfolio und bietet einen niedrigen RDS(on) und einen starken Linearmodus (sicherer Betrieb). Fläche) Leistung in einem kompakten 8×8 mm Footprint, zugeschnitten auf die Anforderungen anspruchsvoller Hotswap-Anwendungen. Nexperia hat außerdem PSMN1R9-100SSE (80 V, 1.9 mΩ) auf den Markt gebracht, einen 80-V-ASFET, der auf den wachsenden Trend zur Verwendung von 48-V-Stromschienen in Computerservern und anderen industriellen Anwendungen reagiert, bei denen die Umgebungsbedingungen MOSFETs mit einer niedrigeren BVDS-Einstufung zulassen.
ASFETs mit verbessertem SOA werden in Hot-Swap- und Softstart-Anwendungen immer beliebter. Ihre starke Leistung im linearen Modus ist entscheidend für die effektive und zuverlässige Bewältigung von Einschaltströmen, wenn kapazitive Lasten in die spannungsführende Rückwandplatine eingeleitet werden. Ein niedriger RDS(on) ist auch wichtig, um I2R-Verluste zu minimieren, wenn der ASFET vollständig eingeschaltet ist. Trotz des geringeren RDS(on) und der kompakten Paketgröße die dritte Generation der erweiterten SOA von Nexperia Technologie erreicht außerdem eine SOA-Verbesserung von 10 % im Vergleich zu früheren Generationen in D2PAK-Paketen (33 A gegenüber 30 A bei 50 V bei 1 ms).
Eine weitere Innovation von Nexperia besteht darin, dass die neuen ASFETs für Hotswap SOA sowohl bei 25 °C als auch bei 125 °C vollständig charakterisiert haben. Vollständig getestete Hot-SOA-Kurven werden in den Datenblättern bereitgestellt, sodass Konstrukteure keine thermischen Derating-Berechnungen durchführen müssen und die nützliche Hot-SOA-Leistung erheblich erweitert wird.
Bisher waren ASFETs für Hotswap- und Computeranwendungen auf viel größere D2PAK-Gehäuse (16 × 10 mm) beschränkt. LFPAK88-Gehäuse sind der ideale Ersatz für D2PAK und bieten eine Platzeffizienz von bis zu 60 %. Das PSMN2R3-100SSE hat einen RDS(on) von nur 2.3 mΩ, was mindestens 40 % weniger als derzeit verfügbare Geräte darstellt. Dies führt nicht nur zu branchenführenden Verbesserungen der Leistungsdichte um das 58-Fache, LFPAK88 bietet auch einen zweifach höheren ID-Nennstrom (max.) sowie einen extrem niedrigen thermischen und elektrischen Widerstand. Diese Version kombiniert die besten Merkmale von Nexperias fortschrittlichen Silizium- und Kupfer-Clip-Packaging-Technologien, darunter ein kleinerer Footprint, niedrigeres RDS(on) und verbesserte SOA-Leistung. Nexperia bietet auch eine Reihe von 25-V-, 30-V-, 80-V- und 100-V-ASFETs in einem 5×6-mm-LFPAK56E-Gehäuse an, die für Anwendungen mit geringerem Stromverbrauch optimiert sind, bei denen ein kleinerer PCB-Footprint erforderlich ist.
Weitere Einzelheiten zu diesen neuen ASFETs finden Sie unter: nexperia/com/asfets-for-hotswap-and-soft-start.