23º de março de 2023 /Semimídia/ — A Nexperia anunciou recentemente sua primeira aplicação específica de 80 V e 100 V mosfet (ASFETs) para hot swap em um pacote LFPAK8 compacto de 8 × 88 mm com área de operação segura aprimorada (SOA). Esses novos ASFETs são totalmente otimizados para aplicações exigentes de hotswap e soft-start e são qualificados para 175°C para uso em equipamentos avançados de telecomunicações e computação.
Aplicando décadas de experiência em silício avançado e desenvolvimento de pacotes, o PSMN2R3-100SSE da Nexperia (100 V, 2.3 mΩ canal N ASFET) é a principal adição ao portfólio, oferecendo baixo RDS(on) e forte modo linear (operação segura área) em um tamanho compacto de 8 × 8 mm, adaptado para atender aos requisitos de aplicativos de hotswap exigentes. A Nexperia também lançou o PSMN1R9-100SSE (80 V, 1.9 mΩ), um ASFET de 80 V que responde à tendência crescente de uso de barramentos de alimentação de 48 V em servidores de computação e outras aplicações industriais onde as condições ambientais permitem MOSFETs com classificação BVDS mais baixa.
ASFETs com SOA aprimorado estão se tornando cada vez mais populares em aplicações de hotswap e soft start. Seu forte desempenho no modo linear é essencial para gerenciar a corrente de pico de maneira eficaz e confiável quando cargas capacitivas são introduzidas no backplane ativo. O RDS(on) baixo também é importante para minimizar as perdas de I2R quando o ASFET está totalmente ligado. Apesar do menor RDS(on) e do tamanho compacto do pacote, a terceira geração de SOA aprimorado da Nexperia tecnologia também alcança 10% de melhoria SOA em comparação com gerações anteriores em pacotes D2PAK (33 A vs 30 A @ 50 V @ 1 ms).
Outra inovação da Nexperia é que os novos ASFETs para hotswap têm SOA totalmente caracterizado em 25 °C e 125 °C. Curvas hot SOA totalmente testadas são fornecidas nas planilhas de dados, eliminando a necessidade de engenheiros de projeto realizarem cálculos de desclassificação térmica e estendendo significativamente o desempenho útil de hot SOA.
Até agora, os ASFETs para hotswap e aplicativos de computação estavam limitados a pacotes D2PAK muito maiores (16 × 10 mm). Os pacotes LFPAK88 são a substituição ideal para D2PAK, proporcionando até 60% de eficiência de espaço. O PSMN2R3-100SSE possui um RDS(on) de apenas 2.3 mΩ, representando uma redução de pelo menos 40% nos dispositivos atualmente disponíveis. Isso resulta não apenas em melhorias de densidade de potência líderes do setor de 58x, mas o LFPAK88 também oferece classificação de corrente ID (máxima) duas vezes maior, resistência elétrica e térmica ultrabaixa. Esta versão combina os melhores recursos das tecnologias avançadas de empacotamento de clipes de silício e cobre da Nexperia, incluindo uma pegada menor, menor RDS(on) e desempenho SOA aprimorado. A Nexperia também oferece uma variedade de ASFETs de 25 V, 30 V, 80 V e 100 V em um pacote LFPAK5E de 6 × 56 mm, otimizado para aplicações de menor consumo de energia em que é necessária uma pegada menor de PCB.
Para mais detalhes sobre esses novos ASFETs, visite: nexperia/com/asfets-for-hotswap-and-soft-start.