NXP Semiconductors PUMD10,135 Auf Lager

Datenblätter:PEMD10,PUMD10Produktfotos:SOT-363 PKGStandardpaket:10,000Kategorie:Diskret Halbleiter ProdukteFamilie:Transistoren (BJT) – Arrays, vorgespanntSerie:-Verpackung:Tape & Reel (TR)Transistortyp:1 NPN, 1 PNP – vorgespannter (Dual)Strom – Kollektor (IC) (Max): 100 mASpannung – Kollektor-Emitter-Zusammenbruch (Max): 50 V Widerstand – Basis (R1) (Ohm): 2.2 k Widerstand – Emitter-Basis (R2) (Ohm): 47 k DC Stromverstärkung (hFE) (Min) @ IC, Vce: 100 bei 10 mA, 5 V Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic: 100 mV bei 250 µA, 5 mA Strom – Kollektorabschaltung (max.): 1 µAFFrequenz – Übergang: -Leistung – max.: 300 mWMontagetyp: OberflächenmontageGehäuse/Gehäuse: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363Supplier Device Package:6-TSSOPAndere Namen:934055239135 #PUMD10,135 NXP Semiconductors PUMD10,135 Neuer TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP, PUMD10,135 Bilder, PUMD10,135 Preis, #PUMD10,135 Lieferant
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TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP