#IRFL110TRPBF VISHAY IRFL110TRPBF Neuer Kleinsignal-Feldeffekt Transistor, 1.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-261AA, ROHS-KONFORMES PAKET-4, IRFL110TRPBF-Bilder, IRFL110TRPBF-Preis, #IRFL110TRPBF-Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/irfl110trpbf.html
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Hersteller-Teilenummer: IRFL110TRPBF
Pbfree Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Ihs Hersteller: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Teilepaketcode: TO-261AA
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Pin-Anzahl: 4
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Vishay Intertechnologies
Risikorang: 0.66
Gehäuseanschluss: DRAIN
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 100 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 1.5 A
Drainstrom-Max (ID): 1.5 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.54 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-261AA
JESD-30-Code: R-PDSO-G4
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 4
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Betriebstemperatur-Min: -55 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 3.1 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Oberflächenmontage: JA
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
Kleinsignal-Feldeffekttransistor, 1.5 A I(D), 100 V, 1 Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-261AA, ROHS-KONFORMES PAKET-4
Pbfree Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Ihs Hersteller: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Teilepaketcode: TO-261AA
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Pin-Anzahl: 4
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Vishay Intertechnologies
Risikorang: 0.66
Gehäuseanschluss: DRAIN
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 100 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 1.5 A
Drainstrom-Max (ID): 1.5 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.54 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-261AA
JESD-30-Code: R-PDSO-G4
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 4
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Betriebstemperatur-Min: -55 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 3.1 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Oberflächenmontage: JA
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
Kleinsignal-Feldeffekttransistor, 1.5 A I(D), 100 V, 1 Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, TO-261AA, ROHS-KONFORMES PAKET-4