#FS14KM-10A RENESAS FS14KM-10A Neu 14A, 500V, 0.64 Ohm, N-KANAL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220FN, 3 PIN, FS14KM-10A Bilder, FS14KM-10A Preis, #FS14KM-10A Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/fs14km-10a.html
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Hersteller-Teilenummer: FS14KM-10A
Teilelebenszykluscode: Nicht empfohlen
Ihs Hersteller: RENESAS ELECTRONICS CORP
Teilepaketcode: TO-220AB
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PSFM-T3
Pin-Anzahl: 3
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Risikorang: 5.34
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 500 V.
Drainstrom-Max (ID): 14 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.64 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-220AB
JESD-30-Code: R-PSFM-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 42 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Anschlussposition: EINZELN
Transistoranwendung: SCHALTEN
Transistorelementmaterial: SILIKON
14A, 500V, 0.64 Ohm, N-KANAL, Si, LEISTUNG, MOSFET, TO-220AB, TO-220FN, 3 PIN
Teilelebenszykluscode: Nicht empfohlen
Ihs Hersteller: RENESAS ELECTRONICS CORP
Teilepaketcode: TO-220AB
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PSFM-T3
Pin-Anzahl: 3
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Risikorang: 5.34
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 500 V.
Drainstrom-Max (ID): 14 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.64 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: TO-220AB
JESD-30-Code: R-PSFM-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 42 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Anschlussposition: EINZELN
Transistoranwendung: SCHALTEN
Transistorelementmaterial: SILIKON
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