#EC4304C SANYO EC4304C Neuer Kleinsignal-Feldeffekt Transistor, 0.25A I(D), 30V, 1-Element, P-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, ECSP1008-4, 4 PIN, EC4304C Bilder, EC4304C Preis, #EC4304C Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: EC4304C
Teilelebenszykluscode: Übertragen
Ihs Hersteller: SANYO ELECTRIC CO LTD
Teilepaketcode: DFN
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-N4
Pin-Anzahl: 4
Hersteller-Paketcode: ECSP1008-4
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8541.21.00.95
Hersteller: SANYO Electric Co Ltd
Risikorang: 5.36
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 30 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 0.25 A
Drainstrom-Max (ID): 0.25 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 1.9 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JESD-30-Code: R-PDSO-N4
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 4
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Polarität/Kanaltyp: P-CHANNEL
Verlustleistung-Max (Abs): 0.15 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Andere Transistoren
Oberflächenmontage: JA
Terminalform: KEINE FÜHRUNG
Anschlussposition: DUAL
Transistor Anwendung: SCHALTEN
Transistor Element Material: SILIKON
Kleinsignal-Feldeffekttransistor, 0.25 AI(D), 30 V, 1 Elemente, P-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, ECSP1008-4, 4 PIN
Teilelebenszykluscode: Übertragen
Ihs Hersteller: SANYO ELECTRIC CO LTD
Teilepaketcode: DFN
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-N4
Pin-Anzahl: 4
Hersteller-Paketcode: ECSP1008-4
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8541.21.00.95
Hersteller: SANYO Electric Co Ltd
Risikorang: 5.36
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 30 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 0.25 A
Drainstrom-Max (ID): 0.25 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 1.9 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JESD-30-Code: R-PDSO-N4
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 4
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Polarität/Kanaltyp: P-CHANNEL
Verlustleistung-Max (Abs): 0.15 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Andere Transistoren
Oberflächenmontage: JA
Terminalform: KEINE FÜHRUNG
Anschlussposition: DUAL
Transistor Anwendung: SCHALTEN
Transistor Element Material: SILIKON
Kleinsignal-Feldeffekttransistor, 0.25 AI(D), 30 V, 1 Elemente, P-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, ECSP1008-4, 4 PIN