#EC4304C SANYO EC4304C Nouveau champ à effet de petit signal Transistor, 0.25A I(D), 30V, 1 élément, canal P, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, ECSP1008-4, 4 broches, images EC4304C, prix EC4304C, fournisseur #EC4304C
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/ec4304c.html
-----------------------
Numéro de pièce du fabricant : EC4304C
Code du cycle de vie de la pièce: transféré
Ihs Fabricant: SANYO ELECTRIC CO LTD
Code d'emballage de la pièce : DFN
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-N4
Nombre de broches: 4
Code d'emballage du fabricant : ECSP1008-4
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.21.00.95
Fabricant : SANYO Electric Co Ltd
Classement de risque: 5.36
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 0.25 A
Courant de drain-Max (ID): 0.25 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 1.9 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30 : R-PDSO-N4
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 4
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité/Type de canal : P-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 0.15 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Autres transistors
Montage en surface: OUI
Forme terminale: PAS DE PLOMB
Position terminale: DUAL
Transistor Application : COMMUTATION
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Transistor à effet de champ à petit signal, 0.25AI(D), 30 V, 1 élément, canal P, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, ECSP1008-4, 4 BROCHES
Code du cycle de vie de la pièce: transféré
Ihs Fabricant: SANYO ELECTRIC CO LTD
Code d'emballage de la pièce : DFN
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-N4
Nombre de broches: 4
Code d'emballage du fabricant : ECSP1008-4
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.21.00.95
Fabricant : SANYO Electric Co Ltd
Classement de risque: 5.36
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 0.25 A
Courant de drain-Max (ID): 0.25 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 1.9 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30 : R-PDSO-N4
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 4
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité/Type de canal : P-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 0.15 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Autres transistors
Montage en surface: OUI
Forme terminale: PAS DE PLOMB
Position terminale: DUAL
Transistor Application : COMMUTATION
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Transistor à effet de champ à petit signal, 0.25AI(D), 30 V, 1 élément, canal P, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, ECSP1008-4, 4 BROCHES