Semikron SEMIX453GB12E4S Auf Lager

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SEMIX453GB12E4S-Funktionen
• Homogenes Si
• Graben = Grabentor Technologie
•VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
• Hoch kurz Schaltung capability
• UL-anerkannte Datei-Nr. E63532Typische Anwendungen*
• AC-Wechselrichterantriebe
•UPS
• elektronisch Schweiß-

Maximale Bewertungen und Eigenschaften

Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)

Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V

Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V

Kollektorstrom IC: 450A

Kollektorstrom Icp: 900A

Verlustleistung des Kollektors Pc: 2700W

Sammler-Emitter Spannung VCES: 4000 V

Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.

Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.

Drehmoment der Befestigungsschraube 3.5 * 1 N · m
Gewicht 300g