Semikron SKM195GAL124DN Auf Lager

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Eigenschaften
.N-Kanal, honogene Siliziumstruktur NPT-IGBT (Non Punch Through)
Niedrige Sättigungsspannung
Fall mit niedriger Induktivität
Niedriger Strom mit geringer Temperaturabhängigkeit
Hohe kurze Cricuit-Fähigkeit, selbstlimitierend auf 6 * Icnom
Schnelle und weiche inverse CAL-Dioden
Ohne harten Schimmel
.Großer Abstand (10 mm) und Kriechstrecken (20 mm)
Typische Anwendungen
.Schalten (nicht linear verwendet)
.Schaltmodus Netzteil
.DC Servo- und Roblt-Antriebe
Wechselrichter
.DC Chopper
.AC Motordrehzahlregelung
USV Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Allgemeine Leistungsschaltanwendungen
.elektronisch (auch tragbare) Schweißer
1) Tcase = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben
2) Wenn = -Lc, Vr = 600 V, -dif / dt = 1500 A ≤ Vge = 0 V.
3) Verwenden Sie Vgeoff = -5… -15V
Die Freilaufdioden vom Typ GAL haben die Daten der inversen Dioden.
CAL = Kontrollierte axiale Lebensdauer Technologie
SKM195GAL124DN Leistungstransistormodul Verlustarme IGBT-Module