Semikron SKM195GAL124DN Disponibile

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E-mail: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/skm195gal124dn.html

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Caratteristiche
.N canale, struttura in silicio omogenea NPT-IGBT (non perforante)
Bassa tensione di saturazione
. Cassa a bassa induttanza
.bassa corrente tai con bassa dipendenza dalla temperatura
. Alta capacità di cricuit corta, auto limitante a 6 * Icnom
Diodi CAL inversi Fast & Soft
.Senza muffa dura
.Ampio spazio libero (10 mm) e distanza di dispersione (20 mm)
Applicazioni tipiche
.Commutazione (uso non lineare)
.Switching modalità di alimentazione supplice
.DC servo e azionamenti roblt
.Inverter
.DC tritatutto
.Controllo della velocità del motore AC
.UPS Uninterruptable power supply
.Applicazioni di commutazione di potenza generale
.Elettronico (anche portatili) saldatrici
1) Tcase = 25 ° C, se non diversamente specificato
2) Se = -Lc, Vr = 600V, -dif / dt = 1500A ， Vge = 0V
3) Usa Vgeoff = -5… -15V
I diodi a ruota libera del tipo GAL hanno i dati dei diodi inversi.
CAL=Vita assiale controllata Tecnologia
Modulo transistor di potenza SKM195GAL124DN Moduli IGBT a bassa perdita