#SKM200GB176D Semikron SKM200GB176D Neues Semikron Made SKM200GB176D IGBT ModuleTrans IGBT Modul N-CH 1700V 260A 7-Pin Gehäuse D-56, SKM200GB176D Bilder, SKM200GB176D Preis, #SKM200GB176D Lieferant
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Teilestatus aktiv Technologie Grabenkanal-Typ-N-Konfiguration mit zwei typischen Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung (V) 2 Maximaler Kollektor-Emitter Spannung (V) 1700 Maximaler Gate-Emitter Spannung (V) ±20 Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (A) 260 Minimale Betriebstemperatur (°C) -40 Maximale Betriebstemperatur (°C) 150 Automotive Keine Pin-Anzahl 7 Lieferantenpaket Gehäuse D-56 Befestigungsschrauben-Pakethöhe 30 Paketlänge 106.4 Paket Breite 61.4 PCB geändert 7
Semikron machte SKM200GB176D
Semikron machte SKM200GB176D
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Kollektor-Emitter-Spannung Vces: 1700V
Gate-Emitter-Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC: 180A
Kollektorstrom Icp: 300A
Kollektor-Emitter-Spannung VCES: 4000V
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.
Drehmoment der Befestigungsschraube 3.5 * 1 N · m
Semikron machte SKM200GB176D IGBT ModuleTrans IGBT-Modul N-CH 1700 V 260 A 7-poliges Gehäuse D-56
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