#SKM200GB176D Semikron SKM200GB176D nouveau Semikron fabriqué SKM200GB176D IGBT ModuleTrans IGBT Module Boîtier N-CH 1700V 260A 7 broches D-56, photos SKM200GB176D, prix SKM200GB176D, fournisseur # SKM200GB176D
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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État de la pièce actif Technologie Configuration de canal de tranchée de type N Double saturation typique de l'émetteur et du collecteur Tension (V) 2 Maximum Collecteur-Emetteur Tension (V) 1700 Émetteur de porte maximum Tension (V) ±20 Courant de collecteur continu maximal (A) 260 Température de fonctionnement minimale (°C) -40 Température de fonctionnement maximale (°C) 150 Automobile Pas de nombre de broches Largeur 7 PCB changé 56
Fabriqué par Semikron SKM200GB176D
Fabriqué par Semikron SKM200GB176D
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Tension collecteur-émetteur Vces: 1700V
Tension de grille-émetteur VGES: ± 20V
Courant de collecteur IC: 180A
Courant de collecteur Icp: 300A
Tension collecteur-émetteur VCES: 4000V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C
Couple de serrage de la vis de montage 3.5 * 1 N · m
Fabriqué par Semikron SKM200GB176D IGBT ModuleTrans IGBT Module N-CH 1700V 260A Boîtier 7 broches D-56
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