Semikron SKM300GA123D Auf Lager

Semikron-IGBT SKM300GA123D
Nicht empfohlen für neues Design. Merkmale:
.MOS-Eingang (Spannung kontrolliert)
.N Kanal, homogenes Si
Fall mit niedriger Induktivität
Sehr niedriger Schwanzstrom mit geringer Temperaturabhängigkeit
Sehr kurz Schaltung Leistungsfähigkeit, selbstbegrenzend auf 6 x I cnom
Latch-up-freie schnelle und weiche inverse CAL-Dioden
.Isolierte Kupfergrundplatte mit DCB Cirect Copper Bonding Technologie
.Großer Abstand (12 mm) und Kriechstrecken (20 mm)
Typische Anwendungen:
Schalten (nicht für den linearen Gebrauch)