Semikron SKM300GA123D มีในสต็อก

เซมิโครน IGBT SKM300GA123D
ไม่แนะนำสำหรับคุณสมบัติการออกแบบใหม่:
.MOS อินพุต (แรงดันไฟฟ้า ควบคุม)
ช่อง. N, Si Homogeneous
. ตัวเหนี่ยวนำต่ำ
. กระแสหางต่ำมากโดยขึ้นอยู่กับอุณหภูมิต่ำ
. สั้น วงจรไฟฟ้า ความสามารถ จำกัด ตัวเองถึง 6 x I cnom
ไดโอด CAL ผกผันที่รวดเร็วและอ่อนนุ่มปราศจาก Latch-up
. แผ่นฐานทองแดงแบบแยกโดยใช้พันธะทองแดงแบบ DCB Cirect เทคโนโลยี
. ระยะห่างขนาดใหญ่ (12 มม.) และระยะทางหน้าคืบ (20 มม.)
การใช้งานทั่วไป:
การสลับ (ไม่ใช่สำหรับการใช้งานเชิงเส้น)