STMicroelectronics (NYSE: STM), ein globaler Halbleiter führender Anbieter von Kunden aus dem gesamten Spektrum von Elektronikanwendungen, hat eine neue Familie von ST Intelligent and Integrated Gallium Nitrid (GaN)-Lösungen angekündigt, STi2GaN. STi2GaN ist ein innovatives und einzigartiges Angebot, das Leistung und Intelligenz in kompakten, leistungsstarken Lösungen vereint, die von der Automobilindustrie bei der Umstellung auf elektrifizierte Plattformen benötigt werden.
Aufbauend auf der Führungsrolle und der starken Automobilerfahrung von ST, Innovationen im Bereich Smart Power Technologie, große Bandlücke Halbleiter Materialien und Verpackungskompetenz bietet die STi2Die GaN-Familie kombiniert eine monolithische Leistungsstufe mit Treibern und Schutzfunktionen in GaN-Technologie sowie System-in-Package (SiP)-Lösungen für anwendungsspezifische ICs mit zusätzlicher Verarbeitungs- und Steuerschaltung. Der STi2GaN-Lösungen verwenden die neuartige Bonddraht-freie Verpackungstechnologie von ST, um eine hohe Robustheit, Zuverlässigkeit und Leistung zu bieten.
„STi2GaN setzt die lange Erfolgsgeschichte von ST bei Verbundwerkstoffen und Smart Power-Produktinnovationen fort und zielt hauptsächlich auf Automobilanwendungen und den Bedarf an hoher Dichte, hoher Zuverlässigkeit und hoher Leistung ab. Das Erstangebot von STi2GaN-Lösungen eignen sich für On-Board-Ladegeräte, LiDAR für autonomes Fahren, bidirektionale DC-DC-Wandler, Class-D-Verstärker und Leistungswandlersysteme.“ sagte Alfio Russo, Group VP und GM Low Spannung und STi2Makroabteilung für GaN-Lösungen, STMicroelectronics. „Die neue Produktfamilie zielt darauf ab, die hohe Leistungsdichte und Effizienz von GaN zu nutzen, um eine branchenweit einzigartige Palette von Geräten in 100-V- und 650-V-Clustern anzubieten, die Skalierbarkeit, Kompaktheit und herausragende Leistung gewährleisten.“
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