STMicro-elektronica (NYSE: STM), een globale Halfgeleider leider die klanten bedient in het hele spectrum van elektronicatoepassingen, heeft een nieuwe familie van ST Intelligent en Integrated Gallium Nitride (GaN)-oplossingen aangekondigd, STi2GaN. STi2GaN is een innovatief en uniek aanbod dat kracht en intelligentie combineert in compacte, hoogwaardige oplossingen die de auto-industrie nodig heeft bij de verschuiving naar geëlektrificeerde platforms.
Voortbouwend op ST's leiderschap en sterke ervaring in de automobielsector, innovaties in Smart Power technologie, brede bandafstand halfgeleider materialen en verpakkingsexpertise, de STi2De GaN-familie combineert een monolithische vermogenstrap samen met drivers en beveiligingen in GaN-technologie, evenals System-in-Package (SiP)-oplossingen voor toepassingsspecifieke IC's met extra verwerkings- en besturingscircuits. de STi2GaN-oplossingen maken gebruik van ST's nieuwe bond-wire-free verpakkingstechnologie om hoge robuustheid, betrouwbaarheid en prestaties te bieden.
“STi2GaN zet het lange succesverhaal van ST voort op het gebied van samengestelde materialen en Smart Power-productinnovatie, voornamelijk gericht op automobieltoepassingen en de behoeften van hoge dichtheid, hoge betrouwbaarheid en hoog vermogen. Het eerste aanbod van STi2GaN-oplossingen zijn geschikt voor ingebouwde laders, LiDAR voor autonoom rijden, bidirectionele DC-DC-converters, klasse-D-versterkers en stroomconversiesystemen,” zeiden Alfio Russo, Group VP en GM Low spanning en STi2GaN Solutions Macro-divisie, STMicroelectronics. "De nieuwe productfamilie heeft tot doel de hoge vermogensdichtheid en efficiëntie van GaN te benutten om een industrie-uniek assortiment apparaten in 100V- en 650V-clusters aan te bieden die schaalbaarheid, compactheid en uitstekende prestaties garanderen."
Voor meer informatie, bezoek www.st.com