Der Mitsubishi PM75CSE120 verfügt über:a) Verwendet einen neuen planaren IGBT-Chip der 4. Generation mit verbesserter Leistung durch einen 1-μm-Feinlinienprozess.b) Enthält eine neue Diode, die für weiche Reverse-Recovery-Eigenschaften ausgelegt ist. Verkäufe Email: sales@shunlongwei.com Wichtige Spezifikationen: Maximale Bewertungen und Eigenschaften:
Das PM20CEE060 ist ein fortschrittliches Modul von Mitsubishi, das für Hochfrequenz-Ausgangsschaltwechselrichter entwickelt wurde. Diese Intellinodu-2-Module bieten komplette Antriebs-, Steuerungs- und Schutzschaltungen für den IGBT-Wechselrichter und bieten so eine umfassende Lösung für verschiedene Anwendungen. Vertriebs-E-Mail: sales@shunlongwei.com Hauptmerkmale des PM20CEE060: Vollständiger AusgangsstromkreisGate-Antriebskreis Anwendungen für PM20CEE060: WechselrichterBewegungs-/ServosteuerungssystemeWechselstrommotor […]
Sales Email: sales@shunlongwei.com Der FUJI 7MBI40N-120 ist ein neuer IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit den folgenden Merkmalen und maximalen Nennwerten: Merkmale: 1.Inklusive Brems-Chopper: Der IGBT ist mit einem Brems-Chopper ausgestattet, der ein effizientes Bremsen und Steuern in Anwendungen ermöglicht, die erfordern es.2.Quadratisches RBSOA: Der IGBT verfügt über eine quadratische Sperrvorspannung für sicheren Betrieb […]
Das Mitsubishi PM100RSE120 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul mit mehreren erweiterten Funktionen und Eigenschaften. Verkauf Email: sales@shunlongwei.com Hier sind die Hauptmerkmale des PM100RSE120-Moduls: Hier sind die maximalen Nennwerte und Eigenschaften des PM100RSE120-Moduls: Diese Spezifikationen verdeutlichen die Spannungs-, Strom-, Verlustleistungs- und Temperaturgrenzen des Moduls für einen sicheren und zuverlässigen Betrieb.
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