Der Mitsubishi PM100RSE120 ist ein Hochleistungsmodell IGBT Modulen mit mehreren erweiterten Funktionen und Merkmalen.
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Hier sind die Hauptmerkmale des PM100RSE120-Moduls:
- Planar der vierten Generation IGBT Chip: Das Modul nutzt einen neuen Planar der 4. Generation IGBT Chip, hergestellt mit einem feinen 1μm-Regelverfahren. Das Technologie steigert die Leistung und Effizienz des Moduls.
- Weiche Reverse-Recovery-Diode: Das Modul enthält eine neue Diode, die für weiche Reverse-Recovery-Eigenschaften ausgelegt ist. Diese Diode sorgt für sanfte Schaltübergänge und minimiert Spannung Spitzen während des Betriebs.
- Strommess-IGBT: Es ist ein Drei Phasen 100 A, 1200 V Stromerfassungs-IGBT-Modul, das speziell für 15-kHz-Schaltanwendungen entwickelt wurde. Dadurch eignet es sich für verschiedene Leistungselektronikanwendungen wie Motorsteuerung und Stromversorgung.
- Regenerativer Brems-IGBT mit Strommessung: Das Modul enthält außerdem einen IGBT mit Strommessung von 50 A und 1200 V, der speziell für regenerative Bremsanwendungen entwickelt wurde. Diese Funktion ermöglicht eine effiziente Energierückgewinnung in Bremssystemen.
- Monolithischer Gate-Antrieb und Schutzlogik: Der PM100RSE120 integriert einen monolithischen Gate-Antriebsschaltkreis zusammen mit einer Schutzlogik. Dieses Design vereinfacht die Installation und Verkabelung des Moduls und bietet gleichzeitig wichtige Schutzfunktionen gegen Überstrom, Kurzschluss.Schaltung, Übertemperatur und Unter-Spannung Gesundheitsproblemen.
- Erkennungs-, Schutz- und Statusanzeigeschaltkreise: Das Modul verfügt über Schaltkreise zur Erkennung und zum Schutz vor Überstrom, Kurzschluss.Schaltung, Übertemperatur- und Unterspannungsbedingungen. Darüber hinaus bietet es eine Statusanzeige, um die Überwachung und Diagnose zu erleichtern.
- Geringe akustische Geräuschentwicklung: Das Modul ist für einen geräuschlosen Betrieb konzipiert und eignet sich daher für Wechselrichteranwendungen der 18.5/22-kW-Klasse, bei denen geringe Geräuschentwicklung erwünscht ist.
Hier sind die maximalen Nennwerte und Eigenschaften des PM100RSE120-Moduls:
- Kollektor-Emitter-Spannung (Vces): 1200 V
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20 V
- Kollektorstrom (IC): 100A
- Kollektorstrom (Icp): 200A
- Kollektorverlustleistung (PC): 595 W
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 2500 V
- Betriebstemperatur der Sperrschicht (Tj): +150 °C
- Lagertemperatur (Tstg): -40 bis +125 °C
- Drehmoment der Befestigungsschraube: 3.5 * 1 N·m
Diese Spezifikationen verdeutlichen die Spannungs-, Strom-, Verlustleistungs- und Temperaturgrenzen des Moduls für einen sicheren und zuverlässigen Betrieb.
