Es ermöglicht kleine Moduldesigns mit reduzierter Komponentenanzahl für mehr Sicherheit und Elektrifizierung: Hochspannungsverriegelungen, Ladeklappen, Sicherheitsgurte, Motorhaube/Kofferraum, Zahnraderkennung oder Brake-by-Wire-Anwendungen. Für herkömmliche Sicherheitsschlösser und -schalter für Kraftfahrzeuge, von Tür- und Kofferraumgriffen bis hin zu Sicherheitsgurten und Bremslichtschaltern, verwendet das Standarddesign einen mechanischen Kontakt oder […]
26. März 2024 – Kye-Hyun Kyung, Präsident und CEO von Samsung Electronics und Leiter der Device Solutions Division, sagte kürzlich in einem Interview, dass die Chip-Verkaufsumsätze in diesem Jahr voraussichtlich auf das Niveau von 2022 zurückkehren werden, und gab bekannt, dass Samsung dies anstrebt in zwei bis drei Jahren zum weltgrößten Halbleiterunternehmen zu werden […]
Foxconn wird voraussichtlich die höchste Wachstumsrate verzeichnen, mit einem geschätzten jährlichen Wachstum von etwa 5–7 %. Dieses Wachstum umfasst bedeutende Aufträge wie die 16G-Plattform von Dell, AWS Graviton 3 und 4, Google Genoa und Microsoft Gen9. Bei Bestellungen von KI-Servern hat Foxconn bemerkenswerte Fortschritte bei Oracle erzielt und sich außerdem einige AWS-ASICs gesichert.
Die Runde wurde von PhotonDelta angeführt – einem grenzüberschreitenden Wachstumsbeschleuniger und Ökosystem von Unternehmen für photonische Chiptechnologie –, an dem sich auch eine Reihe privater Investoren beteiligten. Die Mittel werden für die Entwicklung von Geräten für klinische Studien verwendet. Herz-Kreislauf-Erkrankungen sind mit 19 Millionen Todesfällen pro Jahr die weltweit häufigste Todesursache. Das […]
16. Januar 2024 – Berichten zufolge plant Südkorea den Aufbau des weltweit größten Clusters der Halbleiterindustrie. Unternehmen wie Samsung Electronics und SK Hynix haben beschlossen, bis 622 insgesamt 16 Billionen Won in den Bau von 13 Chipfabriken (3 Waferfertigungsfabriken und 2047 Wafer-Forschungs- und Entwicklungseinrichtungen) zu investieren. Dem Plan zufolge sollen […]
8. Januar 2024 – onsemi gab kürzlich die Einführung von neun neuen EliteSiC Power Integrated Modules (PIMs) bekannt, die bidirektionale Ladefunktionen für ultraschnelle DC-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge (EV) und Energiespeichersysteme (ESS) bieten. Die auf Siliziumkarbid basierenden Lösungen werden die Systemkosten durch höhere Effizienz und einfachere Kühlmechanismen, die die Größe um […] reduzieren können, drastisch senken.
In ihrem Gesamtjahresbericht für 2023 bleiben die ITSA-Mitglieder trotz eines schwierigen Jahres optimistisch. Die Leistung der Märkte schwankt weiterhin erheblich, mit starken Rückgängen in den Märkten Kommunikation, Datenverarbeitung und Massentransport. Wichtige Statistiken: – • Der Auftragsbestand ist im Vergleich zu 8 um 2022 % gesunken • Der Book-to-Bill-Wert bleibt mit 1:02 gerade noch positiv • Der Vertrieb hat jetzt einen […]
Bei den bereitgestellten Informationen handelt es sich um die Spezifikationen für das Infineon FP40R12KE3G IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor). Hier finden Sie eine Aufschlüsselung der wichtigsten Spezifikationen: Diese Spezifikationen sind wichtig für die Auswahl und den Einsatz des IGBT-Moduls in verschiedenen Anwendungen, um sicherzustellen, dass es innerhalb seiner spezifizierten Grenzen arbeitet.
Allgemeine Spezifikationen: Absolute maximale Nennwerte (25 °C): Elektrische Eigenschaften: Anwendungen: