Das Fuji EVL31-060 ist ein IGBT-Modul, das für elektronische Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Es bietet eine niedrige Sättigungsspannung, ein kompaktes Gehäuse und kann einfach auf einer Leiterplatte montiert werden. Hier sind die Merkmale und Spezifikationen des EVL31-060 IGBT-Moduls: Merkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte und Eigenschaften (Tc = 25 °C, sofern nicht anders angegeben): Die […]
Das Fuji 7MBR50NF060 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das speziell für die Anforderungen von Energieanwendungen entwickelt wurde. Mit seinen fortschrittlichen Funktionen und seiner robusten Konstruktion bietet dieses Modul eine effiziente und zuverlässige Leistung in verschiedenen industriellen und kommerziellen Anwendungen. In dieser Übersicht werden wir die wichtigsten Funktionen, Anwendungen und Höchstbewertungen des […] untersuchen.
Mitsubishi #TM25DZ-H Isoliertes IGBT-Modul Das Mitsubishi #TM25DZ-H ist ein isoliertes IGBT-Modul, das für seine hohe Leistung und Zuverlässigkeit bekannt ist. Es ist für verschiedene Anwendungen konzipiert, die eine effiziente Leistungssteuerung und -schaltung erfordern. Hauptmerkmale: Maximale Nennwerte und Eigenschaften: Das Modul arbeitet unter den folgenden absoluten maximalen Nennwerten bei einer Temperatur von […]
Das Infineon DDB6U104N16RR ist ein Leistungstransistormodul. Hier sind die maximalen Nennwerte und Eigenschaften für dieses Modul:Absolute maximale Nennwerte (Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben):Produktmarke:InfineonKollektor-Emitter-Spannung: VCES = 1600 V (TVj = 25°C)Kontinuierlicher DC-Kollektorstrom: 50 AWiederholter Spitzenkollektorstrom: ICRM = 100 AGesamtverlustleistung: Ptot = 350 WGate-Emitter-Spitzenspannung: VGES = […]
Agile Analog, das anpassbare analoge IP-Unternehmen, bringt das erste vollständige analoge IP-Subsystem für RISC-V-Anwendungen auf den Markt. Dieses prozessunabhängige, anpassbare und digital verpackte analoge IP-Subsystem wird dazu beitragen, viele der Probleme zu lösen, mit denen SoC-Designer derzeit konfrontiert sind, da es mit einem RISC-V-Kern eine Komplettlösung bildet. „Die RISC-V-Architektur […]
Das MG50Q6ES41 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Toshiba. Es ist für den Einsatz in Motorsteuerungen, Netzteilen und Wechselrichtern konzipiert. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen des MG50Q6ES41: Produkt: MG50Q6ES41 Typ: Hochleistungs-IGBT-Modul Nennspannung: 600 V Nennstrom: 50 A Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: 1.8 V Konfiguration: 6er-Pack Der MG50Q6ES41 bietet hohe Zuverlässigkeit und Leistung bei niedrigem […]
Sales Email: Sales@shunlongwei.com Das SKKT 57/16 E ist ein 7-poliges Thyristor-/Diodenmodul von Semikron. Es ist in einem SEMIPACK 1-Gehäuse untergebracht und für verschiedene Anwendungen wie Motorantrieb und -steuerung, Mikrowellensysteme und Beleuchtung konzipiert. Hier sind die Spezifikationen des SKKT 57/16 E-Moduls: Diese Module sind darauf ausgelegt, […]
Sales Email: sales@shunlongwei.com Das Mitsubishi PM50CTJ060-3 ist ein neues IGBT-Modul. IGBT steht für Insulated Gate Bipolar Transistor, ein Hochleistungs-Halbleiterbauelement, das zum Schalten und Verstärken elektrischer Signale verwendet wird. Der PM50CTJ060-3 wurde speziell von Mitsubishi Electric, einem bekannten Unternehmen auf dem Gebiet der Leistungselektronik, entwickelt und hergestellt. Hier sind einige wichtige Funktionen […]
Sales Email: sales@shunlongwei.com Hersteller: Infineon Produktkategorie: IGBT-Module RoHS: Ja Produkt: IGBT-Siliziummodule Maximale Nennwerte und Eigenschaften: Absolute maximale Nennwerte (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben) Kollektor-Emitter-Spannung: 1200 V (bei Tvj = 25 °C, VCES ) Kontinuierlicher DC-Kollektorstrom: 50 A (TC = 100 °C, Tvj max = 175 °C, IC nom) Wiederholter Spitzenkollektorstrom: 100 […]