Das FUJI IGBT-Modul 1MBI600V-120 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das von FUJI Electric entwickelt und hergestellt wird. Dieses Modul (1MBI600V-120) hat eine Nennspannung von 600 V und einen maximalen Kollektorstrom von 120 A und eignet sich daher für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen, einschließlich Motorsteuerung, Stromversorgung und Systemen für erneuerbare Energien. Der […]
FUJI 6MBP20RH060 IGBT-Modul – leistungsstarke und zuverlässige 600 V/20 A-Stromversorgungslösung Meta-Beschreibung: Entdecken Sie die Funktionen und Spezifikationen des FUJI 6MBP20RH060 IGBT-Moduls, einer hochmodernen Stromversorgungslösung mit geringem Leistungsverlust, sanftem Schalten und Überhitzungsschutz. Ideal für Motorantriebe, Servoverstärker und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV). Erfahren Sie mehr über die maximalen Nennwerte, einschließlich 450 V […]
das Fuji 2MBI200VB-120 IGBT-Modul, eine leistungsstarke Lösung mit: Ideal für verschiedene Anwendungen, einschließlich: 2MBI200VB-120. IGBT-Module. IGBT-MODUL (V-Serie). 1200V / 200A / 2 in einem Paket
Das Fuji 6MBI450UM-170 ist ein Leistungsmodul, das für Hochleistungsanwendungen wie Motorsteuerung, Netzteile und Wechselrichter entwickelt wurde. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen und Merkmale: Merkmale: Maximale Bewertungen und Eigenschaften:
#BSM35GP120 Merkmale · Niedriger VCE (Sat) · Kompaktes Paket · Leiterplattenmontage · Konverter-Diodenbrücke, dynamischer Bremskreis Anwendungen · Wechselrichter für Motorantrieb · AC- und DC-Servoantriebsverstärker · Unterbrechungsfreie Stromversorgung Maximale Nennwerte und Eigenschaften. Absolute maximale Nennwerte ( Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben) Kollektor-Emitter-Spannung Vces:1600V Gate-Emitter-Spannung VGES:±20V Kollektorstrom Ic:35A […]
Hier finden Sie eine Zusammenfassung seiner wichtigsten Spezifikationen und Merkmale des Fuji 6MBI10L-060 IGBT-Moduls: Spezifikationen: Merkmale: Anwendungen:
Die von Ihnen bereitgestellten Informationen beziehen sich auf ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Semikron mit der Modellnummer SKKD 75F12. Hier sind einige seiner Merkmale, Anwendungen und maximalen Nennwerte: Merkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte und Eigenschaften: Dieses IGBT-Modul ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und es ist wichtig, es innerhalb der angegebenen Grenzen zu betreiben […]
Das Fuji 1MBi2400VD-170E ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit den folgenden Merkmalen und Spezifikationen: Merkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte und Merkmale: Drehmoment der Befestigungsschraube: 3.5 N·m (Newtonmeter)
Teilenummer: 2MBI300S-120 Beschreibung: 1200 V/300 A, 2 in einem Paket (Dies gibt die maximale Kollektor-Emitter-Spannung und Kollektorstromkapazität des Moduls an.) Zielanwendungen: Merkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte und Eigenschaften: Die absoluten Höchstwerte hierfür Modul (bei einer Sperrschichttemperatur von 25 °C, sofern nicht anders angegeben) lauten wie folgt: Das 2MBI300S-120 ist für Anwendungen konzipiert, die […]