Toshiba MG200Q2YS65H Auf Lager

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MG200Q2YS65H Beschreibung

Silizium-N-Kanal-IGBT; TRANS-IGBT MODULE N-CH 1200V 200A 7(2-109C4A)

MG200Q2YS65H 0.95 lbs

Ziel_Anwendungen

MG200Q2YS65H kann für Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Geschwindigkeit verwendet werden

Eigenschaften

GTR-Modul Silicon N Channel IGBT
2IGBT: 200A1200V