Toshiba MG200Q2YS65H Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/mg200q2ys65h.html

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MG200Q2YS65H Descripción

IGBT de canal N de silicio; TRANS IGBT MÓDULO N-CH 1200V 200A 7(2-109C4A)

MG200Q2YS65H 0.95 libras

Aplicaciones_objetivo

MG200Q2YS65H podría usarse en APLICACIONES DE CONMUTACIÓN DE ALTA POTENCIA Y ALTA VELOCIDAD

Caracteristicas

Módulo GTR IGBT de canal N de silicio
2IGBT: 200A1200V