Unisantis, fundada en 2008 por el inventor del flash la tecnología Fujio Masuoka ha patentado la tecnología de transistor de puerta envolvente (SGT), un diseño de transistor 3D que ofrece importantes ventajas de diseño y rendimiento del sistema a los fabricantes de semiconductores de sensores de imagen y memoria y escala a nodos muy pequeños.
El desafío de DRAM ha sido durante mucho tiempo continuar empaquetando más almacenamiento a menor costo, sin aumentar el consumo de energía, argumenta Unisantis, DFM adopta un enfoque revolucionario para superar las limitaciones de la memoria volátil convencional como DRAM, con su actualización inherente corta, regular y que consume mucha energía ciclos, así como procesos de lectura destructivos.
DFM también es un tipo de memoria volátil, pero como no depende de condensadores, tiene menos rutas de fuga y no tiene conexión entre los transistores de conmutación y un condensador. El resultado es un diseño de celda con potencial para aumentos significativos en la densidad de transistores y, debido a que no solo ofrece actualización de bloques, sino que como memoria Flash ofrece borrado de bloques, DFM reduce la frecuencia y la sobrecarga del ciclo de actualización y es capaz de ofreciendo mejoras significativas en velocidad y potencia en comparación con la DRAM.
Al utilizar la simulación TCAD, Unisantis ha demostrado que DFM tiene un potencial sustancial para aumentar la densidad 4X en comparación con DRAM. El escalado de DRAM casi se ha detenido en 16 Gb, según documentos recientes de IEEE ISSCC (Conferencia internacional de circuitos de estado sólido).
El modelado de DFM a una densidad de celda 4F2 muestra cuán perfectamente estructurado está DFM (ver imagen de celda 4F2 aquí). El diseño y desarrollo de DFM significa mejoras significativas en Gb / mm2, y los límites actuales de DRAM (actualmente 16 Gb) podrían ver inmediatamente aumentos a la memoria de 64 Gb utilizando la estructura celular radicalmente mejorada de DFM.
Reemplazar DRAM es un gran desafío para la industria, no solo porque DRAM hoy representa más del 50% de la demanda actual de memoria del mercado (Yole Development, 2020). Los pronósticos también sugieren que la necesidad de este tipo de DRAM de alta densidad y bajo costo para 2025 continuará creciendo y superará los $ 100 mil millones. Pero los desafíos tecnológicos también están por delante presentados por algunos de los reemplazos propuestos, incluidos DRAM sin condensador, ZRAM o enfoques simplistas de GAA y Nanosheet, todos los cuales tienen sus propias limitaciones en comparación con DFM.
DFM fue desarrollado por Unisantis con los principios tecnológicos probados de SGT Technology basándose en ese trabajo y las innovaciones de la compañía, particularmente en semiconductores de memoria.