Unisantis, fondata nel 2008 dall'inventore del flash la tecnologia Fujio Masuoka, ha brevettato la tecnologia Surround Gate Transistor (SGT), un design di transistor 3D che offre notevoli vantaggi in termini di progettazione e prestazioni del sistema ai produttori di semiconduttori di memoria e sensori di immagine e scalabilità fino a nodi molto piccoli.
La sfida della DRAM è stata a lungo quella di continuare a confezionare più spazio di archiviazione a un costo inferiore, senza aumentare il consumo di energia, sostiene Unisantis, DFM adotta un approccio rivoluzionario per superare i limiti della memoria volatile convenzionale come la DRAM, con il suo aggiornamento intrinseco breve, regolare e assetato di energia cicli, così come processi di lettura distruttivi.
Anche la DFM è un tipo di memoria volatile, ma poiché non si basa sui condensatori ha meno percorsi di perdita, non ha alcuna connessione tra i transistor di commutazione e un condensatore. Il risultato è un design della cella con il potenziale per aumenti significativi nella densità dei transistor e, poiché non solo offre l'aggiornamento dei blocchi, ma come memoria Flash offre la cancellazione dei blocchi: DFM riduce la frequenza e il sovraccarico del ciclo di aggiornamento ed è in grado di offrendo miglioramenti significativi in termini di velocità e potenza rispetto alla DRAM.
Utilizzando la simulazione TCAD, Unisantis ha dimostrato che DFM ha un potenziale sostanziale per aumentare la densità di 4 volte rispetto alla DRAM. Il ridimensionamento della DRAM si è quasi fermato a 16 Gb, secondo i recenti documenti IEEE ISSCC (International Solid-State Circuits Conference).
La modellazione di DFM a densità di celle 4F2 mostra quanto sia perfettamente strutturato DFM (vedi l'immagine della cella 4F2 qui). Il design e lo sviluppo di DFM comportano miglioramenti significativi in Gb / mm2 e i limiti odierni sulla DRAM (attualmente 16 Gb) potrebbero immediatamente vedere aumenti fino a 64 Gb di memoria utilizzando la struttura cellulare radicalmente migliorata di DFM.
La sostituzione della DRAM è una sfida importante per il settore, non solo perché la DRAM oggi rappresenta oltre il 50% dell'attuale domanda di memoria del mercato (Yole Development, 2020). Le previsioni suggeriscono anche che la necessità di questo tipo di DRAM a basso costo e ad alta densità entro il 2025 continuerà a crescere e supererà i 100 miliardi di dollari. Ma ci attendono anche sfide tecnologiche presentate da alcune delle sostituzioni proposte, tra cui DRAM senza condensatore, ZRAM o approcci semplicistici GAA e Nanosheet, che hanno tutti i loro limiti rispetto al DFM.
DFM è stato sviluppato da Unisantis con i comprovati principi tecnologici di SGT Technology basandosi su quel lavoro e sulle innovazioni dell'azienda, in particolare nei semiconduttori di memoria