Nexperia ha lanzado sus primeros FET Power GaN en configuración e-mode (modo de mejora) para baja (100/150 V) y alta (650 V) voltaje aplicaciones Al aumentar su oferta de cascode con siete nuevos dispositivos de modo electrónico, ahora proporciona a los diseñadores la selección óptima de FET de GaN de un solo proveedor y su considerable cartera de componentes electrónicos de potencia basados en silicio.
La nueva cartera de la compañía incluye cinco FET de GaN en modo electrónico con clasificación de 650 V (con valores de RDS (encendido) entre 80 mOhm y 190 mOhm) en una selección de paquetes DFN de 5 mm x 6 mm y DFN de 8 mm x 8 mm. Mejoran la eficiencia de conversión de energía en aplicaciones de telecomunicaciones/datos de alto voltaje y baja potencia (<650 V), carga de consumidores, solares e industriales. También se pueden emplear para diseñar motores de CC sin escobillas y unidades de microservidor para lograr precisión con mayor par y más potencia.
También se ofrecen un FET GaN de 100 V (3.2 mOhm) en un paquete WLCSP8 y un dispositivo de 150 V (7 mOhm) en un paquete FCLGA. Estos dispositivos son adecuados para diversas aplicaciones de bajo voltaje (<150 V) y alta potencia para ofrecer, por ejemplo, convertidores CC-CC más eficientes en centros de datos, transceptores LiDAR más pequeños, amplificadores de audio de clase D con ruido más bajo, carga más rápida (e- movilidad y USB-C) y dispositivos de consumo más densos en energía, como teléfonos móviles, computadoras portátiles y consolas de juegos.
Los FET de GaN ofrecen la mayor eficiencia energética en el tamaño de solución más compacto en numerosas aplicaciones de conversión de energía, características que reducen sustancialmente la lista de materiales. En consecuencia, los dispositivos de GaN penetran cada vez más en los principales mercados de electrónica de potencia, incorporando informática de servidor, automatización industrial, consumo e infraestructura de telecomunicaciones. Los dispositivos basados en GaN brindan la capacidad de transición/conmutación más rápida (mayores dv/dt y di/dt) y brindan una eficiencia superior en aplicaciones de conversión de baja y alta potencia. El excelente rendimiento de conmutación de estos FET de GaN en modo electrónico se atribuye a valores muy bajos de Qg y QOSS, mientras que su bajo RDS (activado) permite diseños con mayor eficiencia energética.
Con este lanzamiento, la compañía ahora ofrece una oferta integral de productos GaN FET para atender el amplio espectro de aplicaciones de energía que mejor se adaptan a la la tecnología, incluidos dispositivos cascodo para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia, dispositivos de modo electrónico de 650 V para aplicaciones de alto voltaje y baja potencia y dispositivos de modo electrónico de 100/150 V para aplicaciones de bajo voltaje y alta potencia. Además, los FET de GaN en modo electrónico se fabrican en una línea de oblea de 8 ″ para mejorar la capacidad y están calificados para aplicaciones industriales de acuerdo con el estándar JEDEC.
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