Nexperia a lancé ses premiers FET Power GaN en configuration e-mode (enhancement mode) pour bas (100/150V) et haut (650V) Tension applications. En élargissant son offre cascode avec sept nouveaux dispositifs e-mode, il fournit désormais aux concepteurs la sélection optimale de FET GaN d'un seul fournisseur et son portefeuille considérable de composants électroniques de puissance à base de silicium.
Le nouveau portefeuille de la société comprend cinq FET GaN en mode électronique de 650 V (avec des valeurs RDS(on) comprises entre 80 mOhm et 190 mOhm) dans une sélection de boîtiers DFN 5 mm x 6 mm et DFN 8 mm x 8 mm. Ils améliorent l'efficacité de la conversion de puissance dans les applications de télécommunications/données haute tension et basse consommation (<650 V), de recharge grand public, solaires et industrielles. Ils peuvent également être utilisés pour concevoir des moteurs CC sans balais et des micro-serveurs pour une précision avec un couple plus élevé et plus de puissance.
Sont également proposés un FET GaN 100 V (3.2 mOhm) dans un boîtier WLCSP8 et un dispositif 150 V (7 mOhm) dans un boîtier FCLGA. Ces appareils sont adaptés à diverses applications basse tension (<150 V) et haute puissance pour fournir, par exemple, des convertisseurs CC-CC plus efficaces dans les centres de données, des émetteurs-récepteurs LiDAR plus petits, des amplificateurs audio de classe D à faible bruit, une charge plus rapide (e- mobilité et USB-C) et des appareils grand public plus gourmands en énergie tels que les téléphones portables, les ordinateurs portables et les consoles de jeux.
Les FET GaN offrent le rendement énergétique le plus élevé dans la taille de solution la plus compacte dans de nombreuses applications de conversion de puissance, des caractéristiques qui réduisent considérablement la nomenclature. Par conséquent, les dispositifs GaN pénètrent de plus en plus les marchés traditionnels de l'électronique de puissance, intégrant l'informatique serveur, l'automatisation industrielle, l'infrastructure grand public et les télécommunications. Les dispositifs à base de GaN offrent la capacité de transition/commutation la plus rapide (dv/dt et di/dt les plus élevés) et offrent une efficacité supérieure dans les applications de conversion à faible et haute puissance. Les excellentes performances de commutation de ces FET GaN en mode électronique sont attribuables aux très faibles valeurs Qg et QOSS, tandis que leur faible RDS(on) permet des conceptions plus économes en énergie.
Avec cette version, la société propose désormais une offre complète de produits GaN FET pour servir le large spectre d'applications de puissance les mieux adaptées au sans souci, y compris les dispositifs cascode pour les applications haute tension et haute puissance, les dispositifs en mode électronique 650 V pour les applications haute tension et faible consommation et les dispositifs en mode électronique 100/150 V pour les applications basse tension et haute puissance. De plus, les FET GaN en mode e sont fabriqués sur une ligne de tranches de 8 pouces pour une capacité améliorée et sont qualifiés pour les applications industrielles selon la norme JEDEC.
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