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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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BSM100GT120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto: IGBT Módulos
RoHS: No
Marca: Infineon Technologies
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Hexagonal
Colector- Emisor voltaje VCEO máx.: 1200 V
Saturación colector-emisor voltaje: 2.5 V
Corriente continua del colector a 25 C: 150 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 na
Pd - Disipación de energía: 680 W
Paquete / Estuche: EconoPACK 3A
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Voltaje máximo del emisor de puerta: 20 V
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Estilo de montaje: Tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 10
100A / 1200V / IGBT / 3U; Módulos IGBT 1200V 100A TRIPACK
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