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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM100GT120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: IGBT Módulos
RoHS: Não
marca: Infineon Technologies
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Feitiço
Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.5 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 150 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: 400 nA
Pd - Dissipação de energia: 680 W
Pacote / Caso: EconoPACK 3A
Temperatura operacional máxima: + 150ºC
Tensão máxima do emissor da porta: 20 V
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Estilo de montagem: Parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
100A / 1200V / IGBT / 3U; Módulos IGBT 1200V 100A TRIPACK
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