Descripción de FZ1600R12KF4
Marca: Infineon Technologies AG
Vces: 1,200 voltios CC
IC: 1,600 Amps
Vges +/-: ± 20
Iges Max: 0.4 microamperios
Vge (th) Min / Max: 6.5 voltios
Vce (sat) Máx .: 3.2 voltios
Altura (mm): 38
Ancho (mm): 130
Profundidad (mm): 140
Alto x ancho x profundo (pulg.): 1.5 x 5.12 x 5.51
Peso neto: 3 lb 5 oz
FZ1600R12KF4 es capaz de generar energía de hasta 1200 V y 1600 A con un peso ligero de 2.20 libras. FZ1600R12KF4 tiene una alta sobretensión que alcanza hasta 2500 A o 60 Hz. Es un tipo no aislado compuesto por una base de montaje que sirve como terminal de ánodo, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de rectificador trifásico de bajo voltaje. Esta libre de plomo IGBT Transistor módulo Es tan potente y duradero que puede durar y mantener su eficiencia durante muchos años.
FZ1600R12KF4 2.20 libras
Aplicaciones_objetivo
FZ1600R12KF4 podría usarse en conmutación de alta potencia, controles de motor de CA, controles de motor de CC, fuente de alimentación ininterrumpida
Caracteristicas
IGBT Módulos
IGBT: 1600A1200V
Shunlongwei inspeccionó todos los FZ1600R12KF4 antes del envío, todos los FZ1600R12KF4 con 6 meses de garantía.