Descrição FZ1600R12KF4
Marca: Infineon Technologies AG
Vces: 1,200 Volts DC
IC: 1,600 Amps
Vges +/-: ± 20
Iges Max: 0.4 MicroAmps
Vge (th) Min / Max: 6.5 Volts
Vce (sat) Máx .: 3.2 Volts
Altura (mm): 38
Largura (mm): 130
Profundidade (mm): 140
A x L x P (pol.): 1.5 x 5.12 x 5.51
Peso líquido: 3 lb 5 oz
FZ1600R12KF4 é capaz de gerar energia até 1200 V e 1600 A com um peso leve de 2.20 libras. O FZ1600R12KF4 tem uma alta corrente de surto, atingindo até 2500A ou 60Hz. É um tipo não isolado composto por uma base de montagem que serve como terminal anódico, tornando-o adequado para aplicações de baixa tensão com retificador trifásico. Este sem chumbo IGBT Transistor módulo é tão poderoso e durável que pode durar e manter sua eficiência por muitos anos.
FZ1600R12KF4 2.20 libras
Alvo_Aplicativos
FZ1600R12KF4 pode ser usado em comutação de alta potência, controles de motor CA, controles de motor CC, fonte de alimentação ininterrupta
Funcionalidades
IGBT Módulos
IGBT: 1600A1200V
Shunlongwei inspecionado todos os FZ1600R12KF4 antes do envio, todos os FZ1600R12KF4 com 6 meses de garantia.